半导体内载荷子特征参数增至7个

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  科技日报北京10月14日电(记者刘霞)半导体是如今你这个 电子时代的基础,但半导体内的电子电荷还有统统有秘密有待揭示,这限制了该领域的进一步发展。最近,有有有另两个国际科研团队称,一点人在处理你这个 已延续140年的物理学谜题上取得重大突破。一点人研制出你这个 新技术,可获得更多有关半导体内电子电荷的信息,有望推动半导体领域的进一步发展,使一点人获得更好的光电设备等。

  为了真正理解半导体的物理性质,首先需用了解其组织组织结构载荷子的基本特征。1879年,美国物理学家埃德温·霍尔发现,磁场会偏转导体内载荷子的运动,偏转量可测为垂直于电荷流的电压(霍尔电压)。但会 ,霍尔电压可揭示半导体内载荷子的基本信息:是带负电的电子还是名为“空穴”的带正电的准粒子、载荷子在电场中的移动下行速度 “迁移率”(μ)、在半导体内的密度(n)。此后,研究人员意识到可用光进行霍尔效应测量。

  但上述土土办法 并能提供占多数的载荷子的信息,无法一块儿提供你这个 载荷子(多数和少数)的特征。而对于一点涉及光的应用,你这个太阳能电池等,此类信息至关重要。

  据物理学家组织网13日报道,在最新研究中,来自美国IBM及韩国的科学家发现了有有有另两个新公式和一项新技术,使一点人能一块儿获取多数和少数载荷子的信息。

  研究人员称,从传统霍尔测量得出的已知多数载荷子密度现在现在刚刚刚开始,一点人都需用知道多数和少数载荷子迁移率和密度随光下行速度 的变化。该团队将新技术命名为“载荷子分辨图像霍尔”(CRPH)测量。利用已知的光照下行速度 ,一点人还都需用选取载荷子的寿命。自发现霍尔效应以来,你这个 关系已隐藏了140年。

  与传统霍尔测量中仅获得八个参数相比,新技术在每个测试光下行速度 下最多可获得7个参数:包括电子和空穴的迁移率;在光下的载荷子密度、重组寿命、电子、空穴和双极性类型的扩散长度。

  研究人员指出,新发现和新技术有有利于加快下一代半导体技术的发展,让一点人获得更好的太阳能电池、光电设备以及用于人工智能技术的新材料和设备等。

[ 责编:肖春芳 ]

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